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IT之家 8 月 1 日音问，韩媒 ETNews 报说念称，SK 海力士将加快下一代 NAND 闪存的开垦🦄九游娱乐(中国)有限公司-官方网站是一家创新的科技公司，九游娱乐(中国)有限公司-官方网站最安全的平台，计划 2025 年末完成 400+ 层堆叠 NAND 的量产准备，2026 年二季度认真运转大鸿沟分娩。

SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 层堆叠 NAND 闪存的样品，并称这一颗粒计划于 2025 上半年完结量产。

▲ SK 海力士 321 层 NAND 闪存

按照韩媒的说法，SK 海力士异日两代 NAND 的辩别将裁汰至约 1 年，彰着短于业界平均水平。

IT之家注：从代际发布辩别来看，好意思光从 232 层 NAND 闪存到 276 层用时 2 年，三星 V8 NAND 和 V9 NAND 辩别约 1.5 年。

韩媒在报说念中还提到，SK 海力士新的 400+ 层堆叠 NAND 闪存将接收不同于现存“4D NAND”的举座结构：

报告期内，普拉达集团录得收益净额25.49亿欧元，按固定汇率计算，较2023年同期增长17%。其中，零售销售净额增长18%，旗下Prada品牌及Miu Miu品牌分别增长6%及93%。

SK 海力士当今的 4D NAND 接收了 PUC（Peri Under Cell，单位下外围）技巧，将外围扬弃电路扬弃在存储单位的下方，较更传统的外围电路侧置野心可减少芯片占用空间。

而 SK 海力士异日的 NAND 将在两块晶圆上分袂制造外围电路和存储单位，而后接收 W2W（晶圆对晶圆）花样的夹杂键合技巧，将这两部分整合为完竣的闪存。

换句话说，SK 海力士也将接收肖似长江存储 Xtacking、铠侠-西部数据 CBA 的结构野心。

报说念指出，SK 海力士已在入部下手构建 NAND 夹杂键合所需的原材料与修复供应链，正对夹杂键合技巧与材料进行新的审查；此外三星电子也接洽不才一代 NAND 分娩中运用夹杂键合。